Στην ηλεκτρονική και την τεχνολογία ημιαγωγών, τα κύρια πλεονεκτήματα του SiC είναι:
Υψηλή θερμική αγωγιμότητα 120-270 W/mK
Χαμηλός συντελεστής θερμικής διαστολής 4,0x10^-6/ μοίρες
Υψηλή μέγιστη πυκνότητα ρεύματος
Ο συνδυασμός αυτών των τριών χαρακτηριστικών δίνει στο SiC ανώτερη ηλεκτρική αγωγιμότητα, ειδικά σε σύγκριση με το πυρίτιο, το πιο δημοφιλές ξάδερφο του SiC. Τα χαρακτηριστικά του υλικού SiC το καθιστούν πολύ πλεονεκτικό για εφαρμογές υψηλής ισχύος όπου απαιτείται υψηλό ρεύμα, υψηλή θερμοκρασία και υψηλή θερμική αγωγιμότητα.
Τα τελευταία χρόνια, το SiC έχει γίνει βασικός παίκτης στη βιομηχανία ημιαγωγών, τροφοδοτώντας MOSFET, διόδους Schottky και μονάδες ισχύος για χρήση σε εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής απόδοσης. Αν και είναι πιο ακριβά από τα MOSFET πυριτίου, τα οποία συνήθως περιορίζονται σε τάση διάσπασης 900 V, το SiC μπορεί να επιτύχει τάσεις κατωφλίου σχεδόν 10 kV.
Το SiC έχει επίσης πολύ χαμηλές απώλειες μεταγωγής και μπορεί να υποστηρίξει υψηλές συχνότητες λειτουργίας, επιτρέποντάς του να επιτύχει ασύγκριτη απόδοση σήμερα, ειδικά σε εφαρμογές που λειτουργούν σε τάσεις μεγαλύτερες από 600 βολτ. Όταν χρησιμοποιούνται σωστά, οι συσκευές SiC-μπορούν να μειώσουν τις απώλειες συστήματος μετατροπέα και μετατροπέα κατά σχεδόν 50%, το μέγεθος - κατά 300% και το συνολικό κόστος του συστήματος - κατά 20%. Αυτή η μείωση στο συνολικό μέγεθος του συστήματος καθιστά το SiC εξαιρετικά χρήσιμο σε εφαρμογές ευαίσθητες σε βάρος και χώρο.